8月6日消息，就在昨日，璞璘科技宣布其自主研发的PL-SR系列喷墨步进式纳米压印设备，于2025年8月1日正式交付国内特色工艺客户，这是中国首台半导体级步进式纳米压印光刻系统。
注：璞璘科技成立于2017年，是国家高新技术企业，研发团队中硕士、博士学位人员占比超90%，拥有纳米压印相关知识产权100余项。
该设备攻克了步进硬板非真空贴合、喷胶与薄胶压印、压印胶残余层控制等关键技术难题，实现了线宽小于10nm的纳米压印光刻工艺，在核心指标上超越了日本佳能同类产品。
此次交付也标志着我国在“后摩尔时代”新型芯片制造装备领域实现自主突破，为国产半导体产业链开辟了又一差异化技术路径。
三项“突破性”指标
纳米压印光刻（NIL）是一种新型微纳加工技术，其原理不同于依赖光或电子辐射的传统光刻技术，而是通过物理模具压印的方式将图案转移到光刻胶上，类似“纳米级印章”。
这种方法不受光学衍射极限的限制，理论上可突破3nm的图形尺寸限制，同时具备能耗低、成本低的显著优势——据佳能数据显示，其耗电量仅为EUV光刻技术的10%，设备成本可降至40%。
从技术参数简单来看，PL-SR系列实现了三项突破性指标：平均残余层厚度＜10nm、残余层变化＜2nm、压印结构深宽比＞7：1。
设备配备自主研发的模板面型控制系统、纳米压印光刻胶喷墨算法系统及软件控制系统，最小支持20mm×20mm压印模板的均匀拼接，可扩展至12英寸晶圆级超大模板应用。
目前该设备已在存储芯片、硅基微显示器、硅光芯片及先进封装四大领域完成研发验证。
结语
璞璘PL-SR实现的小于10nm线宽指标虽在精度上超越佳能，但并不意味着可替代EUV光刻制造5nm逻辑芯片。纳米压印目前存在制造速度慢、多层对准难度高等局限，更适用于存储芯片等结构相对统一的产品。
注：此项设备尤其对3D NAND闪存、DRAM存储器等国产高端存储芯片制造具有关键意义，由于这类芯片的多层同构特性（结构重复度高），相比逻辑芯片更适配纳米压印的物理复制原理（通过模具压印转移电路图形，可以像开头说的那样，理解为类似“盖章”的操作）。
不过此次成功交付，还有一种更深层的意义——打破了日本企业在纳米压印领域的长期垄断。此前在2024年9月，佳能推出全球最先进的FPA-1200NZ2C纳米压印系统，可实现14nm线宽并支持5nm制程逻辑芯片生产，但该设备已被列入对华禁运名单。
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